Синтез эпитаксиальных слоев нитрида индия на подложке пористого фосфида индия

Автор(ы) Я.А. Сычикова
Принадлежность Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71106 Бердянск, Украина
Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 02.05.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка Я.А. Сычикова, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03017 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключевые слова Нитрид индия, Пористый фосфид индия, Буферный слой, Эпитаксия, Электрохимическое травление, Период решетки.
Аннотация В работе представлена методика получения пленки InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленок InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий травления.

Список литературы

English version of article