Потери фактора заполнения в солнечных элементах с мультикристаллического кремния

Автор(ы) А.В. Приходько
Принадлежность

Запорожский национальный университет, ул. Жуковского, 66, 69600 Запорожье, Украина

Е-mail avp@znu.edu.ua
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 24.02.2015, опубликовано online – 20.10.2015
Ссылка А.В. Приходько, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03007 (2015)
DOI
PACS Number(s) 88.40.jj
Ключевые слова Солнечный элемент, mc-Si (2) , Потери фактора заполнения, Паразитное омическое сопротивление, Темновой ток насыщения, Фактор идеальности диода.
Аннотация Исследованы нефундаментальные потери эффективности солнечных элементов с мультикристаллического кремния. Они в значительной мере определяются качеством диода и паразитными омическими сопротивлениями, приводящих к уменьшению коэффициента заполнения. Потери фактора заполнения солнечных элементов с мультикристаллического кремния были проанализированы с помощью испытаний промышленной партии солнечных элементов в условиях излучения AM1.5. Наблюдаемое уменьшение фактора заполнения при увеличении как тока насыщения, так и фактора идеальности диода объясняется их экспоненциальной зависимостью, которая была установлена экспериментально. Дополнительно, было оценено и обсуждены потери максимальной мощности солнечных элементов через омические паразитные опоры. Полученны результаты могут быть использованы для повышения эффективности солнечных элементов и, таким образом, снизить стоимость солнечной электроэнергии.

Список литературы