Автор(ы) | А.В. Приходько |
Принадлежность | Запорожский национальный университет, ул. Жуковского, 66, 69600 Запорожье, Украина |
Е-mail | avp@znu.edu.ua |
Выпуск | Том 7, Год 2015, Номер 3 |
Даты | Получено 24.02.2015, опубликовано online – 20.10.2015 |
Ссылка | А.В. Приходько, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03007 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 88.40.jj |
Ключевые слова | Солнечный элемент, mc-Si (2) , Потери фактора заполнения, Паразитное омическое сопротивление, Темновой ток насыщения, Фактор идеальности диода. |
Аннотация | Исследованы нефундаментальные потери эффективности солнечных элементов с мультикристаллического кремния. Они в значительной мере определяются качеством диода и паразитными омическими сопротивлениями, приводящих к уменьшению коэффициента заполнения. Потери фактора заполнения солнечных элементов с мультикристаллического кремния были проанализированы с помощью испытаний промышленной партии солнечных элементов в условиях излучения AM1.5. Наблюдаемое уменьшение фактора заполнения при увеличении как тока насыщения, так и фактора идеальности диода объясняется их экспоненциальной зависимостью, которая была установлена экспериментально. Дополнительно, было оценено и обсуждены потери максимальной мощности солнечных элементов через омические паразитные опоры. Полученны результаты могут быть использованы для повышения эффективности солнечных элементов и, таким образом, снизить стоимость солнечной электроэнергии. |
Список литературы |