Особенности напряженного состояния германиевых нанокристаллов в матрице SiOx

Автор(ы) В.В. Курилюк1, О.А. Коротченков1, З.Ф. Цибрий2, А.С. Николенко2, В.В. Стрельчук2
Принадлежность

1 Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, ул. Владимирская, 64/13, 01601 Киев, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАНУ, просп. Науки, 41, 03028 Киев, Украина

Е-mail kuryluk@univ.kiev.ua
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 09.02.2015, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка В.В. Курилюк, О.А. Коротченков, З.Ф. Цибрий и др., Ж нано- и электрон. физ. 7 № 1, 01029 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.65.Hb, 78.67.Hc
Ключевые слова Нанокристалл (2) , Квантовая точка, Механические напряжения, Гетероструктура (10) .
Аннотация С использованием ИК Фурье-спектроскопии, рамановского рассеивания и компьютерного моделирования исследуются особенности механических напряжений в германиевых нанокристаллах, синтезированных в аморфной матрице SiОx с буферным слоем SixNy. Установлено, что германиевые нанокристаллы испытывают существенные напряжения сжатия величиной до 2.9 ГПа. Столь высокие значения деформаций объясняются частичным проникновением нанокристаллов в кремниевую подложку. Основным источником механических напряжений в этом случае является несоответствие решеток кремния и германия.

Список литературы