Влияние гидротермальной обработки на фазовый состав диоксида титана, полученного методом гидролиза Ti(OC4H9)4
| Автор(ы) | М.Г. Мизилевская1, В.О. Коцюбинский2, О.Х. Тадеуш1 |
| Принадлежность | 1 Южноукраинский национальный педагогический университет имени К.Д. Ушинского, ул. Старопортофранковская, 26, 65020 Одесcа, Украина 2 Прикарпатский национальный университет имени Василия Стефаныка, ул. Шевченко, 57, 76025 Ивано-Франковск, Украина |
| Е-mail | |
| Выпуск | Том 7, Год 2015, Номер 1 |
| Даты | Получено 20.11.2014, в отредактированной форме – 25.11.2014, опубликовано online – 25.03.2015 |
| Ссылка | М.Г. Мизилевская, В.О. Коцюбинский, О.Х. Тадеуш, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01028 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.46. – w , 61.82.Rx |
| Ключевые слова | Брукит, Анатаз (4) , Наночастицы, Фазовая трансформация, Тетрабутоксид титана, Гидротермальная обработка. |
| Аннотация | В работе установлено, что применение гидротермальной обработки аморфного материала, полученного в результате гидролиза тетрабутоксида титана, позволяет получить наноструктурированную смесь анатаза и брукита – фотокаталитически активных фаз диоксида титана, которая при условии размеров частиц в пределах 4 нм и величины удельной площади поверхности 175 м2/г характеризируется температурной устойчивостью относительно фазовой трансформации в рутил. |
|
Список литературы |
Другие статьи этого номера
1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT [01006-1-01006-3]
7) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
8) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
9) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
10) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
11) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
12) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
13) Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells [01013-1-01013-4]
14) Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова [01014-1-01014-9]
15) Негативный фотодиэлектрический эффект в структурах пленка фуллерена - пленка сегнетоэлектрического жидкого кристалла [01015-1-01015-5]
16) Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия [01016-1-01016-6]
17) Теоретическое изучение энергетических характеристик искусственного рецептора на меламин в предполимеризационной фазе [01017-1-01017-5]
18) Нанокомпозиты на основе полибутилентерефталата, синтезированного з циклических олигомеров бутилентерефталата, и мультистенных углеродных нанотрубок [01018-1-01018-6]
19) Электрохимические свойства гибридных суперконденсаторов, сформированных на основе наноразмерной шпинели LiMn1.5Fe0.5O4 [01019-1-01019-4]
20) Спиновые волны в ферромагнитной пленке с периодической системой антиточек [01020-1-01020-5]
21) Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
22) Пленочные композиционные материалы на основе гидроксиапатита и поливинилового спирта [01022-1-01022-5]
23) Синтез и изучение свойств наноферритов, полученных методом золь-гель с участием автогорения [01023-1-01023-9]
24) Морфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложках [01024-1-01024-4]
25) Диагностика реконструкции поверхности золота методами многоугловой эллипсометрии [01025-1-01025-6]
26) Закономерности формирования структуры покрытий CrN, полученных вакуумно-дуговым испарением в атмосфере азота [01026-1-01026-4]
27) Ферромагнетизм при комнатной температуре в слоистых полупроводниковых кристаллах InTe, интеркалированных кобальтом [01027-1-01027-5]
28) Особенности напряженного состояния германиевых нанокристаллов в матрице SiOx [01029-1-01029-5]
29) FLUX – программный пакет для вычисления характеристик синхротронного излучения [01030-1-01030-6]
30) Влияние размеров наполнителя на перколяционное поведение системы полиэтиленгликоль / углеродные нанотрубки [01031-1-01031-6]
31) Рост нанокристаллов золота в смеси первичных спиртов [01032-1-01032-10]
32) Влияние лазерного отжига на морфологию поверхности и оптические характеристики нанокремниевых пленок [01033-1-01033-5]
33) Структурная инженерия многослойной системы TiN / CrN, полученнойвакуумно-дуговым испарением [01034-1-01034-6]
34) Окисление циркония после облучения ионами аргона [01035-1-01035-4]
35) Особенности кинетики спада фото-ЭДС в кристаллах кремния, используемых в солнечной энергетике, обусловленные воздействием слабого стационарного магнитного поля [01036-1-01036-4]
36) Вириальные коэффициенты для термодинамических систем с псевдопотенциалом Хилла [01037-1-01037-6]
37) Разработка физических основ емкостного акустического метода дефектоскопии металлов [01038-1-01038-5]
38) Влияние внешнего периодического воздействия на кинетику фрагментации металлов при интенсивной пластической деформации [01039-1-01039-11]
39) Влияние ионной имплантации Au– на микроструктуру аморфно-нанокристаллического AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнические характеристики многоэлементных покрытий на основе нитридов Ti, Zr, Cr, Nb, Si, полученных с помощью вакуумно-дуговых методов осаждения [01041-1-01041-5]