Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора

Автор(ы) А.Ф. Дяденчук , В.В. Кідалов
Принадлежность Бердянский государственный педагогический університет, ул. Шмидта, 4, 71100 Бердянск, Украина
Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 15.10.2014, в отредактированной форме – 05.03.2015, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка А.Ф. Дяденчук, В.В. Кідалов, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01021 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 81.65.Cf, 84.60. – h
Ключевые слова Суперконденсатор (6) , Электрохимическое травление полупроводников, Емкость конденсатора.
Аннотация В качестве замены активированного угля для электродов суперконденсаторов предложено использование пористых пластин GaAs и GaP. Пористые обкладки получены методом электрохимического травления. Приводится описание методики получения суперконденсаторов на основе пористых полупроводников А3В5. Площадь пористой поверхности определена методом газовой адсорбции. Описан способ расчета электрической емкости суперконденсатора, созданного на пористых пластинах GaAs и GaP.

Список литературы

English version of article