Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия

Автор(ы) Г.С. Хрипунов1 , А.В. Пирогов1, Д.А. Кудий1, Р.В. Зайцев1 , А.Л. Хрипунова1 , В.А. Геворкян2, П.П. Гладышев3
Принадлежность

1 Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина

2 Российско-Армянский (Славянский) университет, ул. Овсена Эмина, 123, 0051 Ереван, Армения

3 Государственный университет «Дубна», ул. Университетская, 19, 141980 Дубна, Московская обл., Россия

Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 02.10.2014, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка Г.С. Хрипунов, А.В. Пирогов, Д.А. Кудий, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01016 (2015)
DOI
PACS Number(s) 81.40.Ef, 61.05. – Cp, 68.57. – Hk
Ключевые слова Тонкопленочный солнечный элемент, Стеклянные и гибкие подложки, Диоксид олова, Теллурид и сульфид кадмия.
Аннотация Было исследовано влияние толщины наноразмерной прослойки на эффективность фотоэлектрических процессов в солнечных элементах (СЭ) ITO / SnO2 / CdS / CdTe / Cu / Au, сформированных на различных подложках. Для приборных структур, сформированных на стеклянных подложках, максимальная эффективность 11,4 % достигается при толщине слоя оксида олова 80 нм. Для гибких солнечных элементов, сформированных на полиимидных пленках, максимальная эффективность 10,8 % наблюдается при толщине слоя оксида олова 50 нм. В работе обсуждаются физические механизмы наблюдаемых отличий в КПД.

Список литературы