Негативный фотодиэлектрический эффект в структурах пленка фуллерена - пленка сегнетоэлектрического жидкого кристалла

Автор(ы) А.Ф. Шевчук1, А.В. Ковальчук2
Принадлежность

1 Винницкий национальный аграрный университет, ул. Солнечная, 3, 21008 Винница, Украина

2 Киевский национальный университет технологий и дизайна, ул. Немировича-Данченко, 2, 01011 Киев, Украина

Е-mail shevchuk177@gmail.com
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 01.10.2014, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка А.Ф. Шевчук, А.В. Ковальчук, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01015 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.30.Eb, 61.30.Pq, 77.84.Nh
Ключевые слова Сегнетоэлектрический жидкий кристалл, Фуллерен (2) , Диэлектрическая проницаемость.
Аннотация Приведены результаты исследований влияния света на диэлектрические свойства структур пленка фуллерена С60 – пленка сегнетоэлектрического жидкого кристалла (СЖК). Экспериментально показано, что в хиральной смектической фазе СЖК, в отличие от других фаз, освещения структур приводит к уменьшению емкости (отрицательный фотодиэлектрический эффект). Предложен механизм такого эффекта. На основе полученных данных дано объяснение положительного фотодиэлектрического эффекта, обнаруженного в работе [1] при исследовании коллоидного раствора СЖК + 43 масс. % cмеси фуллеренов С60 + C70.

Список литературы