Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова

Автор(ы) Н.П. Клочко1 , А.В. Момотенко1, В.Н. Любов1 , Н.Д. Волкова2 , В.Р. Копач1 , Г.С. Хрипунов1 , М.В. Кириченко1 , Р.В. Зайцев1
Принадлежность

1 Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина

2 Национальный аэрокосмический университет «Харьковский авиационный институт», ул. Чкалова, 17, 61070 Харьков, Украина

Е-mail klochko_np@mail.ru
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 02.09.2014, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка Н.П. Клочко, А.В. Момотенко, В.Н. Любов, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01014 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.55.Ag ,81.15.Pq
Ключевые слова Сульфид олова SnS, Электрохимическое осаждение, Сульфуризация, Прекурсор, Полупроводник.
Аннотация Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.

Список литературы