Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT
| Автор(ы) | Palash Das, Dhrubes Biswas |
| Принадлежность | Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, India |
| Е-mail | d.palash@gmail.com |
| Выпуск | Том 7, Год 2015, Номер 1 |
| Даты | Получено 12.12.2014, опубликовано online – 25.03.2015 |
| Ссылка | Palash Das, Dhrubes Biswas, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 1, 01006 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 73.21.Fg, 81.05.Ea, 85.30.Tv |
| Ключевые слова | AlGaN / GaN (2) , Modeling (20) , Threshold voltage (15) , Linearity. |
| Аннотация | In this paper, the gate threshold voltage of AlGaN / GaN HEMT devices has been analytically predicted based on the calculated energy levels inside triangular quantum well at the hetero-interface and found to be comparable with experimental data. The conceptual explanation of device linearity in large signal applications has been presented in terms of quantized energy levels in the quantum well. The dependence of threshold voltage and linear operable gate voltage range on a newly introduced parameter named “Surface Factor” is analyzed as well. |
|
Список литературы |
Другие статьи этого номера
1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
7) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
8) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
9) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
10) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
11) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
12) Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells [01013-1-01013-4]
13) Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова [01014-1-01014-9]
14) Негативный фотодиэлектрический эффект в структурах пленка фуллерена - пленка сегнетоэлектрического жидкого кристалла [01015-1-01015-5]
15) Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия [01016-1-01016-6]
16) Теоретическое изучение энергетических характеристик искусственного рецептора на меламин в предполимеризационной фазе [01017-1-01017-5]
17) Нанокомпозиты на основе полибутилентерефталата, синтезированного з циклических олигомеров бутилентерефталата, и мультистенных углеродных нанотрубок [01018-1-01018-6]
18) Электрохимические свойства гибридных суперконденсаторов, сформированных на основе наноразмерной шпинели LiMn1.5Fe0.5O4 [01019-1-01019-4]
19) Спиновые волны в ферромагнитной пленке с периодической системой антиточек [01020-1-01020-5]
20) Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
21) Пленочные композиционные материалы на основе гидроксиапатита и поливинилового спирта [01022-1-01022-5]
22) Синтез и изучение свойств наноферритов, полученных методом золь-гель с участием автогорения [01023-1-01023-9]
23) Морфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложках [01024-1-01024-4]
24) Диагностика реконструкции поверхности золота методами многоугловой эллипсометрии [01025-1-01025-6]
25) Закономерности формирования структуры покрытий CrN, полученных вакуумно-дуговым испарением в атмосфере азота [01026-1-01026-4]
26) Ферромагнетизм при комнатной температуре в слоистых полупроводниковых кристаллах InTe, интеркалированных кобальтом [01027-1-01027-5]
27) Влияние гидротермальной обработки на фазовый состав диоксида титана, полученного методом гидролиза Ti(OC4H9)4 [01028-1-01028-5]
28) Особенности напряженного состояния германиевых нанокристаллов в матрице SiOx [01029-1-01029-5]
29) FLUX – программный пакет для вычисления характеристик синхротронного излучения [01030-1-01030-6]
30) Влияние размеров наполнителя на перколяционное поведение системы полиэтиленгликоль / углеродные нанотрубки [01031-1-01031-6]
31) Рост нанокристаллов золота в смеси первичных спиртов [01032-1-01032-10]
32) Влияние лазерного отжига на морфологию поверхности и оптические характеристики нанокремниевых пленок [01033-1-01033-5]
33) Структурная инженерия многослойной системы TiN / CrN, полученнойвакуумно-дуговым испарением [01034-1-01034-6]
34) Окисление циркония после облучения ионами аргона [01035-1-01035-4]
35) Особенности кинетики спада фото-ЭДС в кристаллах кремния, используемых в солнечной энергетике, обусловленные воздействием слабого стационарного магнитного поля [01036-1-01036-4]
36) Вириальные коэффициенты для термодинамических систем с псевдопотенциалом Хилла [01037-1-01037-6]
37) Разработка физических основ емкостного акустического метода дефектоскопии металлов [01038-1-01038-5]
38) Влияние внешнего периодического воздействия на кинетику фрагментации металлов при интенсивной пластической деформации [01039-1-01039-11]
39) Влияние ионной имплантации Au– на микроструктуру аморфно-нанокристаллического AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнические характеристики многоэлементных покрытий на основе нитридов Ti, Zr, Cr, Nb, Si, полученных с помощью вакуумно-дуговых методов осаждения [01041-1-01041-5]