Моделирование выходных параметров кремниевых фото-преобразователей с базовыми кристаллами і-типа проводимости

Автор(ы) М.В. Кириченко
Принадлежность Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина
Е-mail
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 4
Даты Получено 04.06.2014, в отредактированной форме – 26.11.2014, опубликовано online – 29.11.2014
Ссылка М.В. Кириченко, Ж. нано- электрон. физ. 6 No 4, 04027 (2014)
DOI
PACS Number(s) 89.30.CC, 72.40. + w
Ключевые слова Фотопреобразователь, Моделирование, Выходные параметры.
Аннотация Проведено экспериментальное исследование и моделирование с использованием программы PC1D выходных параметров лабораторных образцов фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния і-типа электропроводности. Установлено, что использование базовых кристаллов і-типа электропроводности в условиях облучения АМ0 позволяет получить рекордно высокие значения плотности фототока, достигающие 48,6 мА/см2. Однако их коэффициент полезного действия не превышает 11,6 %. Для разработки физически обоснованного подхода к оптимизации конструктивно-технологических решений проанализирована электронная модель кремниевого фотоэлектрического преобразователя з p+-i-n+ структурою. В ходе апробации модели была получена серия диаграмм распределения значений коэффициента полезного действия исследуемых фотоэлектрических преобразователей с p+-i-n+ структурой в зависимости от значений последовательного и шунтирующего сопротивлений при плотности диодного тока насыщения 10 – 7 А/см2, 10 – 8 А/см2 и 10 – 9 А/см2. Наличие таких диаграмм при проведении разработки высокоэффективных фотопреобразователей указанного типа позволит не только существенно уменьшить затраты на поисковые исследования, но и обеспечит достижение необходимого в каждом конкретном случае оптимального соотношения между затратами на улучшение диодной структуры та повышенным уровнем коэффициента полезного действия таких приборов.

Список литературы

English version of article