Низкоразмерные структуры GaN

Автор(ы) А.Ф. Дяденчук , В.В. Кидалов
Принадлежность

Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71100 Бердянск, Украина

Е-mail
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 4
Даты Получено 13.05.2014; опубликовано online – 29.11.2014
Ссылка А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 4, 04043 (2014)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключевые слова Метод нитридизации, Квантовые точки.
Аннотация Впервые исследованы низкоразмерные структуры GaN на поверхности пористого GaAs полученного методом нитридизации пористых слоев GaAs, рассмотрен процесс электрохимического травления GaAs с последующей обработкой в атомарном азоте, в результате чего на поверхности GaAs формируются квантовые точки GaN. При осаждении на поверхность GaAs происходит замещение атомов As атомами N, которое приводит к формированию тонкого слоя GaN на поверхности GaAs. Исследованы их фотолюминесценция и морфология поверхности методом сканирующей электронной спектроскопии.

Список литературы