Оптические и рекомбинационные потери в тонкопленочных солнечных элементах на основе гетеропереходов n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe с токосъемными контактами ITO та ZnO

Автор(ы) А.А. Доброжан , А.С. Опанасюк , В.В. Гриненко
Принадлежность Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина
Е-mail dobrozhan.a@ukr.net
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 4
Даты Получено 18.06.2014, в отредактированной форме – 30.06.2014, опубликовано online – 29.11.2014
Ссылка А.А. Доброжан, А.С. Опанасюк, В.В. Гриненко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 4, 04035 (2014)
DOI
PACS Number(s) 84.60.Jt, 73.61.Ga
Ключевые слова Тонкопленочные солнечные элементы, n-CdS / p-CdTe, n-ZnS / p-CdTe, Оптические потери, Рекомбинационные потери, Эффективность.
Аннотация В работе определены оптические и рекомбинационные потери во вспомагательных и поглощающих слоях солнечных элементов на основе гетеропереходов n-ZnS / p-CdTe и n-CdS / p-CdTe с токосъемными фронтальными контактами ITO и ZnO. В результате рассчитаны спектральные зависимости коэффициента пропускания (Т) света фотопреобразователей при учете его отражения от границ контактирующих материалов и в случае его поглощения во вспомогательных слоях солнечных элементов. Исследовано влияние оптических и рекомбинационных потерь в СЭ со структурой ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на ток короткого замыкания (Jкз) и эффективность () фотопреобразователей при различной толщине оконных слоев CdS (ZnS) (50-300 нм) и постоянной токосъемных слоев (200 нм). Установлено, что наибольшие значения эффективности (15,9-16,1 %) имеют солнечные элементы со структурой ZnO / ZnS / CdTe при концентрации нескомпенсированных акцепторов в поглощающем слое (Na – Nd)  1015-1017 см – 3 и толщине оконного слоя 50 нм.

Список литературы