Температурные изменения энергии электрона в нанопленках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs различной толщины и состава барьерного материала

Автор(ы) Д.В. Кондрюк, В.М. Крамарь
Принадлежность Черновицкий государственный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина
Е-mail
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 4
Даты Получено 04.07.2014, в отредактированной форме – 24.11.2014, опубликовано online – 29.11.2014
Ссылка Д.В. Кондрюк, В.М. Крамарь, Ж. нано- электрон. физ. 6 No 4, 04032 (2014)
DOI
PACS Number(s) 73.21.Fg
Ключевые слова Наногетероструктура (4) , Квантовая яма, Электрон, Энергия.
Аннотация В рамках модели прямоугольной квантовой ямы конечной глубины рассчитаны температурные зависимости энергии дна основной минизоны электрона в наноплёнках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs различной толщины с разной концентрацией (x) барьерного материала. Расчеты выполнены методом функций Грина с использованием приближения эффективных масс для электронной системы и модели диэлектрического континуума – для фононной. Учтено взаимодействие со всеми ветвями спектра оптических фононов: ограниченных в ямном материале, полуограниченных – в барьерном и интерфейсных. Показано, что возрастание температуры от 0 до 300 K может вызывать увеличение величины длинноволнового смещения дна основной минизоны электрона примерно на 25-30 %, в зависимости от толщины наноплёнки и концентрации x.

Список литературы