RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells

Автор(ы) V.S. Zakhvalinskii1 , E.A. Piljuk1 , I.Yu. Goncharov1 , V.G. Rodriges1, A.P. Kuzmenko2 , S.V. Taran1 , P.A. Abakumov2
Принадлежность

1 Belgorod National Research University, 85, Pobedy Str., 308015 Belgorod, Russia

2 South-West State University, 94, 50 LetOctyabtyastr Str., Kursk, Russia

Е-mail
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 3
Даты Получено 19.05.2014, опубликовано online – 15.07.2014
Ссылка V.S. Zakhvalinskii, E.A. Piljuk, I.Yu. Goncharov, et al., J. Nano- Electron. Phys. 6 No 3, 03062 (2014)
DOI
PACS Number(s) 61.10.Eq
Ключевые слова Atomic force microscopy (9) , RF- magnetron sputtering, Silicon carbide (9) , Silicon nitride (2) , Thin films (58) , Solar cells (17) .
Аннотация RF-magnetron nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere was used for obtaining thin silicon carbide and silicon nitride films, that are used for constructing solar cells based on substrates of single crystal silicon of p-type.

Список литературы