Исследования топографии и атомной структуры поверхностей скалывания (100) слоистых кристаллов In4Se3

Автор(ы) П.В. Галий, Т.М. Ненчук, И.Р. Яровец
Принадлежность

Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Драгоманова, 50, 79005 Львов, Украина

Е-mail galiy@electronics.lnu.edu.ua
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 2
Даты Получено 19.05.2014, в отредактированной форме – 04.06.2014, опубликовано online – 20.06.2014
Ссылка П.В. Галий, Т.М. Ненчук, И.Р. Яровец, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02029 (2014)
DOI
PACS Number(s) 61.46._w, 68.37.Ef, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 61.05.Jh
Ключевые слова Слоистые кристаллы, Межслойные поверхности скалывания, Топография, Атомная структура, Сканирующая туннельная микроскопия, Атомно-силовая микроскопия, Дифракция медленных электронов.
Аннотация Методами сканирующих туннельной, атомно-силовой микроскопий (СТМ, АСМ) и дифракции медленних электронов (ДМЭ) на отражение исследована топография, кристаллография и атомная структура поверхностей скалывания (ПС) (100) слоистых кристаллов In4Se3, полученных путем скалывания in situ. Полученные результаты указывают на существование периодической, гофрированной структуры на ПС. Показано , что ПС (100) In4Se3 являются структурно стабильными и не испытывают атомной реконструкции в широком температурном диапазоне 77-295 K. Установлена анизотропия теплового расширения ПС по основным кристаллолографическим направлениям в плоскости скола (100) In4Se3. Проведенные расчеты значений постоянных двухмерной решетки, находящихся в плоскости ПС (100) орторомбического слоистого кристалла In4Se3 по результатам ДМЭ (b  11,475 Å и c  3,734 Å) удовлетворительно совпадают с результатами полученными методами АСМ и СТМ (b  13-14 Å и c  4 Å) и находятся в пределах погрешности указанных методик , совпадая со значениями полученными методом X-дифрактометрии (b  12,308(1) Å и c  4,0810(5) Å). Кроме того, полученные результаты исследования структуры ПС, указывают на корректность использования фильтрования изображений топограмм, полученных методом СТМ и адекватность использованной модели для расчета постоянных поверхностной решетки ПС (100) In4Se3 по результатам ДМЭ. Проанализировано влияние строения ДПЕ-модуля на полученные результаты.

Список литературы

English version of article