Анализ элементного состава пленок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE и μ-PIXE

Автор(ы) А.С. Опанасюк1 , П.В. Коваль1 , Д.В. Магилин2, А.А. Пономарев2, Х. Чеонг3
Принадлежность

1 Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

2 Институт прикладної физики НАН Украини, ул. Петропавловская 58, 40000 Сумы, Украина

3 Соганский университет, Шинсу-Донг 1, Мапу-Гу 121-742 Сеул, Корея

Е-mail
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 2
Даты Получено 23.03.2014, опубликовано online – 20.06.2014
Ссылка А.С. Опанасюк, П.В. Коваль и др., Ж. нано- электрон. физ. 6 No 2, 02019 (2014)
DOI
PACS Number(s) 68.55.Nq
Ключевые слова Элементный состав, Пленки Cu2ZnSnSe4, Методы PIXE, μ-PIXE.
Аннотация Методом рентгеновского характеристического излучения индуцированного сфокусированным протонным пучком проведено исследование распределения компонентов соединения по площади пленок Cu2ZnSnSe4 (-PІXE), а также определен их элементный состав (PІXE). Для реализации метода использован ядерный сканирующий микрозонд с энергией пучка протонов 1,5 MэВ и поперечным размером зонда 4 × 4 мкм2. Пленки четырехкомпонентного соединения получены при разных физико-технологических режимах осаждения соиспарением компонентов с использованием электронно-лучевой пушки. В качестве подложки использовано стекло с подслоем молибдена нагретое до температуры 400 С. В результате исследований установлено, что распределение элементов по площади конденсатов является однородным, а их состав определяется физико-технологическими условиями получения.

Список литературы