Механизм возникновения и нейтрализация остаточного трибоэлектричества при сканировании кремниевым зондом атомно-силового микроскопа диэлектрических поверхностей

Автор(ы) М.А. Бондаренко1, С.А. Билоконь1, В.С. Антонюк2 , Ю.Ю. Бондаренко1
Принадлежность

1 Черкасский государственный технологический университет, бул. Шевченко, 460, 18006 Черкассы, Украина

2 Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», пр. Победы, 37, 03056 Киев-56, Украина

Е-mail maxxium@rambler.ru
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 2
Даты Получено 16.03.2014, опубликовано online – 20.06.2014
Ссылка М.А. Бондаренко, С.А. Билоконь, В.С. Антонюк, Ю.Ю. Бондаренко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02018 (2014)
DOI
PACS Number(s) 07.79.Lh, 41.20.Cv, 81.05. – t, 34.35. + a
Ключевые слова Атомно-силовая микроскопия, Трибоэлектричество, Диэлектрическая поверхность, Кремниевый зонд, Многофотонная ионизация.
Аннотация В статье установлены причины и приведен механизм разрушительного действия сил электростатического взаимодействия кремниевого зонда с диэлектрическими поверхностями при исследовании их микрогеометрии и механических характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Проведен расчет сил электростатического взаимодействия двух кремниевых поверхностей и определено разрушительное действие электростатического разряда, который возникает в результате трибоелектричного эффекта. Предложен модуль снятия электростатического заряда, принцип работы которого заключается в формировании зоны проводимости в месте контакта двух диэлектриков путем многофотонной ионизации. Показано, что применение такого способа нейтрализации остаточного трибоэлектричества повышает точность, надежность и воспроизводимость результатов сканирования.

Список литературы

English version of article