Получение слоев AlN при магнетронном распылении алюминия в газовой смеси Ar + N2

Автор(ы) А.С. Корнющенко
Принадлежность

Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail ann_korn@ukr.net
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 2
Даты Получено 14.03.2014, в отредактированной форме – 14.04.2014, опубликовано online – 20.06.2014
Ссылка А.С. Корнющенко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02017 (2014)
DOI
PACS Number(s) 81.07.Bc, 81.10.Bk, 81.15.Cd.
Ключевые слова Нитрид алюминия, Квазиравновесная стационарная конденсация, Реактивное магнетронное распыление, Накопительная система плазма-конденсат.
Аннотация В данной работе проведены исследования влияния параметров эксперимента, таких как мощность разряда, давление рабочего газа, температура ростовой поверхности на процесс формирования и основные характеристики слоев нитрида алюминия. В результате оптимизации указанных параметров нами получены близкие к стехиометрическому составу слоя AlN, имеющие кристаллическое строение с гексагональной решеткой типа вюрцита. Проведенные исследования структуры, фазового состава и микротвердости конденсатов, которые имеют элементные составы наиболее близкие к стехиометрическим. Микротвердость полученных покрытий составляет 0.760 ÷ 1.12 ГПа .

Список литературы

English version of article