Классификация мультиугловой и спектральной эллипсометрии для полупроводниковых наноструктур

Автор(ы) А.А. Голобородько , М.В. Епов, Л.Ю. Бобыр, Т.В. Родионова
Принадлежность

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, ул. Владимирская, 64/13, 01601 Киев, Украина

Е-mail angol@univ.kiev.ua
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 2
Даты Получено 11.11.2013, опубликовано online – 20.06.2014
Ссылка А.А. Голобородько, М.В. Епов, Л.Ю. Бобыр, Т.В. Родионова, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02002 (2014)
DOI
PACS Number(s) 78.40.Fy, 78.66.Jg
Ключевые слова Поликремниевая пленка, Спектральная эллипсометрия, Коеффициент отражения, Показатель преломления, показатель поглощения.
Аннотация Исследованы возможности многопараметрического определения полупроводниковых наноструктур на основе спектральных зависимостей поляризованного излучения коэффициента отражения Rp, Rs от угла падения в диапазоне 200-800 нм. Экспериментальные данные показали высокие коэффициенты чувствительности отражения угловой зависимости от типа поликристаллических структур. Наличие дополнительных спектральных экстремумов в зависимости от преломления и поглощения может быть связано с размером зерен поликристаллической структуры и типа границ зерен. Показана возможность многопараметрического исследования оптических свойств и толщины полупроводниковых слоев на кремниевой подложке.

Список литературы