Влияние термического окисления на процессы переноса носителей заряда в пористом кремнии

Автор(ы) И.Б. Оленич
Принадлежность Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Драгоманова, 50, 79005 Львов, Украина
Е-mail iolenych@gmail.com
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Даты Получено 11.09.2013, опубликовано online – 31.01.2014
Ссылка И.Б. Оленич, Ж. Нано- электрон. физ. 5 № 4, 04072 (2013)
DOI
PACS Number(s) 73.63. – b, 73.50.Gr
Ключевые слова Пористый кремний, Термическое окисление, Механизмы электропроводимости, Термостимулированная деполяризация, Уровни захвата.
Аннотация Исследована температурная зависимость электропроводимости пористого кремния и термически окисленного пористого кремния в режимах постоянного и переменного тока в интервале 80-370 К. Полученные результаты проанализированы в рамках модели неупорядоченных полупроводников и определены механизмы переноса носителей заряда. На основе спектров термостимулированной деполяризации обнаружены локализованные электронные состояния, которые влияют на электротранспортные свойства пористого кремния. Показано, что термическое окисление приводит к изменению плотности заполнения состояний в различных энергетических диапазонах и расширению температурного диапазона, в котором реализуется прыжковый механизм проводимости пористого кремния.

Список литературы

English version of article