Автор(ы) | Д.В. Корбутяк1, С.В. Токарев2 , О.М. Шевчук2, Г.А. Ильчук2 , В.С. Токарев2, С.И. Будзуляк1, А.О. Курик1 |
Принадлежность | 1 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарьова НАН Украины, пр. Науки, 41, 0328 Киев, Украина 2 Национальный университет "Львивська политехника", ул. С. Бандеры, 12, 79013 Львов, Украина |
Е-mail | gilchuk@lp.edu.ua |
Выпуск | Том 5, Год 2013, Номер 4 |
Даты | Получено 21.06.2013, опубликовано online – 31.01.2014 |
Ссылка | Д.В. Корбутяк, С.В. Токарев, О.М. Шевчук, и др., Ж. нано- электрон. физ. 5 № 4, 04066 (2013) |
DOI | |
PACS Number(s) | 81.07. ± b, 78.55. ± m, 78.67. ± n |
Ключевые слова | Нанокристаллы сульфида кадмия, Композитная пленка, Спектр фотолюминесценции. |
Аннотация | В работе описаны особенности оптических свойств композитных пленок с встроенными нанокристаллами сульфида кадмия (НК CdS), полученных золь-гель методом in situ. Спектры фотолюминесценции состоят из двух областей: примесной с E 1.6-2.3 еВ, обусловленной поверхностными дефектами, и экситонной с E 2.3-3.0 еВ. Увеличение концентрации прекурсора Cd(Ас)2∙2H2O в полимерной матрице от 36 до 48 % не приводить к автоматическому росту интенсивностей поглощения при макс. и фотолюминесценции композитной пленки, что возможно обусловлено образованием в последнем случае менее совершенных структур CdS. |
Список литературы |