Определение толщины активной области Si-PIn детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны

Автор(ы) А.А. Мамалуй, Л.П. Фомина, А.И. Михайлов
Принадлежность Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт» ул. Фрунзе, 21, 61002, Харьков, Украина
Е-mail m_if@ukr.net
Выпуск Том 2, Год 2010, Номер 4
Даты Получено 23.12.2010, в отредактированной форме – 15.01.2011
Ссылка А.А. Мамалуй, Л.П. Фомина, А.И. Михайлов, Ж. нано- электрон. физ. 2 №4, 115 (2010)
DOI
PACS Number(s) 07.85.Fv
Ключевые слова Рентгеновское флуоресцентное излучение, Аналитические линии, Детектор (14) , Активная зона, Вторичный излучатель.
Аннотация Предложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм с точностью ± 10 мкм.

Список литературы