Автор(ы) | А.Б. Гниленко1,2, С.В. Плаксин2 |
Принадлежность | 1 Днепропетровский национальный университет имени Олеся Гончара, пр. Гагарина, 72, 49010 Днепропетровск, Украина 2 Институт транспортных систем и технологий НАНУ, ул. Писаржевского, 5, 49005 Днепропетровск, Украина |
Е-mail | gnilenko@ua.fm |
Выпуск | Том 5, Год 2013, Номер 4 |
Даты | Получено 10.10.2013, опубликовано online – 31.01.2014 |
Ссылка | А.Б. Гниленко, С.В. Плаксин, Ж. Нано- электрон. физ. 5 № 4, 04057 (2013) |
DOI | |
PACS Number(s) | 73.40.Lq, 78.20.Bh, 84.60.Jt |
Ключевые слова | Солнечный элемент, Трехкаскадный, Механически состыкованный, GaInP / GaAs / Si, Silvaco TCAD. |
Аннотация | При помощи программного пакета Silvaco TCAD проведено моделирование механически состыкованного трехкаскадного солнечного элемента GaInP / GaAs / Si и его сравнение с более традиционной конфигурацией GaInP / GaAs / Ge с механическим соединением каскадов. Рассчитана внешняя квантовая эффективность, вольт-амперные характеристики, а также основные параметры солнечных элементов и на этом основании показаны преимущества использования кремния, а не германия в качестве материала активной подложки нижнего фотоэлемента. |
Список литературы |