Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда

Автор(ы) Я.А. Сычикова1 , В.В. Кидалов1 , Г.А. Сукач2
Принадлежность

1 Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71100, Бердянск, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева, пр. Науки 41, 03028, Киев, Украина

Е-mail yanasuchikova@mail.ru
Выпуск Том 2, Год 2010, Номер 4
Даты Получено 06.10.2010, в отредактированной форме – 08.01.2011
Ссылка Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач, Ж. нано- электрон. физ. 2 №4, 75 (2010)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключевые слова Пористый фосфид индия, Легирование кристаллов, Электрохимический процесс, Сегрегация.
Аннотация
В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его поверхности во время электрохимического травления. Установлено, что наиболее качественные пористые слои формируются при использовании кристаллов с концентрацией свободных носителей заряда 2,3 × 1018 см – 3. Также представлены результаты наблюдений слоистой неоднородности InP, которая объяснена с точки зрения особенности технологического процесса выращивания сильнолегированных кристаллов.

Список литературы