Diode Based on Amorphous SiC

Автор(ы) V.S. Zakhvalinskii , L.V. Borisenko, A.J. Aleynikov, E.A. Piljuk , I. Goncharov, S.V. Taran
Принадлежность

Belgorod National Research University, 85, Pobedy Str., 308015 Belgorod, Russia

Е-mail
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Даты Получено 11.10.2013, в отредактированной форме – 05.11.2013, опубликовано online – 10.12.2013
Ссылка V.S. Zakhvalinskii, L.V. Borisenko, A.J. Aleynikov, et al., J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04029 (2013)
DOI
PACS Number(s) 73.20, 73.40.Eq
Ключевые слова Atomic force microscopy (9) , Transmission electron microscope (2) , Silicon carbide (9) , Thin films (60) .
Аннотация Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere.

Список литературы