Оценка размера и концентрации наночастиц серебра в водной взвеси из спектров экстинкции
| Автор(ы) | С.З. Малинич |
| Принадлежность | Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, просп. Науки, 41, 03028, Киев, Украина |
| Е-mail | s.malynych@gmail.com |
| Выпуск | Том 2, Год 2010, Номер 4 |
| Даты | Получено 26.11.2010, в отредактированной форме – 29.12.2010 |
| Ссылка | С.З. Малинич, Ж. нано- электрон. физ. 2 №4, 5 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 81.07.Bc, 78.67.Bf |
| Ключевые слова | Наночастицы серебра, Коллоид, Спектры экстинкции, Локализованный поверхностный плазмонный резонанс. |
| Аннотация |
Размер и концентрацию взвешенных в воде наночастиц серебра можно легко оценить из спектров экстинкции. Это возможно благодаря сильной корреляции локализованных поверхностных плазмонных резонансов, возбуждаемых электромагнитным излучением, с размером и формой металлических наночастиц. Представлена калибровочная кривая для оценки размера наночастиц серебра, полученная из расчетов согласно теории Ми. Проведено сравнение с опублико-ванными экспериментальными данными. |
|
Список литературы |
Другие статьи этого номера
1) Стохастическая динамика намагниченности наночастицы в циркулярно-поляризованном магнитном поле [012-021]2) Самосинхронизация в системе нелинейных осцилляторов ван Дер Поля [022-030]
3) Диффузионный рост и морфологическая устойчивость двумерного выделения новой фазы, расположенного на межзеренной границе [031-046]
4) Экспериментальная установка и методика моделирования пространственных волн в многосвязных квазиоптических системах с периодическими неоднородностями [047-058]
5) Моделирование на атомном уровне эволюции вакансионных пор в облучаемых материалах [059-074]
6) Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда [075-081]
7) Структурно-фазовое состояние и оптические свойства покрытий из ZnO [082-089]
8) Оценка ширины пучка в магнитном масс-спектрометре [090-095]
9) Магниторезистивные свойства пленок Fe и мультислоев на их основе [096-114]
10) Определение толщины активной области Si-PIn детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны [115-118]