Влияние отжига кристалла на ориентационную зависимость ядерного квадрупольного резонанса в InSe

Автор(ы) В.А. Хандожко1 , Н.Д. Раранский1 , В.Н. Балазюк1 , З.Д. Ковалюк2
Принадлежность

1 Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

2 Черновицкое отделение ИПМ им. И. Н. Францевича НАН Украины, ул. Ирины Вильде, 5, 58001 Черновцы, Украина

Е-mail
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Даты Получено 31.05.2013, опубликовано online 17.10.2013
Ссылка В.А. Хандожко, Н.Д. Раранский, В.Н. Балазюк, З.Д. Ковалюк, Ж. Нано- электрон. физ. 5 № 3, 03050 (2013)
DOI
PACS Number(s) 76.60. – К, 76.60.Gv, 41.50. + h
Ключевые слова ЯКР (3) , Слоистые соединения, Кристаллографическая ориентация, Отжиг кристалла.
Аннотация Используя метод ЯКР, исследована зависимость интенсивности спектра от ориентации кристаллографических осей анизотропного кристалла относительно вектора магнитной компоненты высокочастотного поля. Наличие остаточной интенсивности резонансного спектра при Н1c свидетельствует о присутствии в монокристалле дефектов – блоков с малыми угловыми границами или другими нарушениями в атомных слоях. Отжиг кристалла при температуре 550 С сопровождается улучшением качества резонансных спектров ЯКР и дифракционных максимумов на топограммах.

Список литературы