Фоточувствительные гетеропереходы n-In2O3 / p-InSe с наноструктурированной поверхностью фронтального слоя

Автор(ы) З.Д. Ковалюк1 , В.Н. Катеринчук1, З.Р. Кудринский1, О.С. Литвин2
Принадлежность

1 Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, ул. Ирины Вильде, 5, 58001 Черновцы, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва Национальной академии наук Украины, пр. Науки, 41, 03028 Киев-28, Украина

Е-mail kudrynskyi@gmail.com
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Даты Получено 12.02.2013, опубликовано online – 17.10.2013
Ссылка З.Д. Ковалюк1, В.Н. Катеринчук1, З.Р. Кудринский1, О.С. Литвин2, Ж. нано- электрон. физ. 5 No 3, 03027 (2013)
DOI
PACS Number(s) 73.40.Lq, 81.65.Mq, 81.16.Dn
Ключевые слова Гетеропереходы, Слоистые кристаллы, Наноструктуры, Атомно-силовая микроскопия, Оксидные пленки.
Аннотация Исследованы фоточувствительные гетеропереходы n-In2O3 / p-InSe, в которых фронтальный слой In2O3 является наноструктурированным. Выявлено, что спектры фоточувствительности таких гетеропереходов существенно зависят от поверхностной топологии оксида. Это свидетельствует о том, что оксид в паре с полупроводниковой подкладкой играет не только роль активной компоненты структуры, но и одновременно служит ячеистым дифракционным элементом. Поверхностная топология оксида исследовалась с помощью атомно-силового микроскопа. При разных условиях окисление InSe поверхность образцов содержала наноформирования преимущественно в форме наноигл. Их структура имела как неупорядоченный, так и упорядоченный характер. Оптический размерный эффект в пленке оксида выявлен благодаря сочетанию свойств наноструктурированной поверхности In2O3 и анизотропного поглощения света в InSe. Чем высшее отклонение падающего света от его нормального направления, вызванное наноструктурированной поверхностью оксида, тем большие изменения в фотогенерации носителей в анизотропном полупроводнике. Эти изменения заключались в расширении полосы фотоответа, а также в особенностях поведения экситонной линии в спектре гетероперехода. Чем выше плотность и упорядочение наноигл, тем более длинноволновой сдвиг полосы фотоответа и более интенсивный экситонный пик в спектре.

Список литературы