Получение и оптические свойства подложек с поверхностной наноструктурой

Автор(ы) В. П. Махний 1, Г. И. Бодюл 1, М. Ф. Павлюк 2, А. М. Слётов 1
Принадлежность

1 Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского 2, 58012 Черновцы, Украина

2 Прикарпатский национальный университет имени Василия Стефаника, ул. Шевченка 57, 76018 Ивано-Франковск, Украина

Е-mail vpmakhniy@gmail.com, o.slyotov@chnu.edu.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 28.07.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка В. П. Махний , Г. И. Бодюл , М. Ф. Павлюк , А. М. Слётов , Ж. нано- электрон. физ. 9 № 5, 05026 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05026
PACS Number(s) 61.46. – w,68.37.Ps, 78.30.Fs,78.55. – m
Ключевые слова Твердые растворы Cd1-xMnxTe, Отжиг, Поверхностная наноструктура, АСМ-топо­граммы, Нанопирамиды, Люминесценция, Дифференциальные спектры оптического пропускания.
Аннотация Экспериментально установлено, что термический отжиг монокристаллических подложек твердых растворов Cd1-xMnxTe (x  0,04-0,45) на воздухе при 650 °С приводит к образованию поверхностной наноструктуры (ПНС). При этом оптимальное время отжига tО для каждого молярного состава х определяется эмпирическим выражением tО ≈ 35 + 1,3•x, мин. Анализ АСМ-топограм показывает, что ПНС являет собой набор пирамид с размером основы 2-5 мкм, которые являются объединением более мелких 10-100 нм нанопирамид. Следствием размерного квантования в последних есть полоса люминесценции в области энергий ħ больших за ширину запрещенной зоны Eg материала, а её максимум ħm с увеличением х смещается в высокоэнергетическую сторону. Большая полуширина данной полосы обусловлена значительным разбросом размеров мелких нанопирамид. Смещение максимумов полос дифференциальных спектров оптического пропускания подложек с ПНС в низкоэнергетическую область объясняется совместным действием процессов поглощения и рассеяния света с участием свободных пирамид.

Список литературы