Боковые планарные диодные переходы на листе графена с различными областями функционализации

Автор(ы) Р.М. Балабай, А.Г. Лубенец
Принадлежность

Криворожский государственный педагогический университет, пр. Гагарина, 54, 50086 Кривой Рог, Украина

Е-mail krivoroganochka@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 14.08.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка Р.М. Балабай, А.Г. Лубенец, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 5, 05017 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05017
PACS Number(s) 73.40.Lq, 82.45.Mp
Ключевые слова Боковые планарные переходы, Графен (16) , Графан, Флюрографен, Хлорографен, Расчеты из первых принципов, Пространственный заряд, Плотности электронных состояний, Кулоновские потенциалы.
Аннотация Методами функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов получены пространственные распределения плотности валентных электронов, плотности электронных состояний, ширины валентных и запрещенных зон, заряды на атомных остовах, кулоновские потенциалы вдоль выбранных направлений в боковых планарных переходах графен/графан, графен/флюрографен и графен/хлорoграфен. Зафиксированы области с различными величинами пространственного заряда в боковых планарных переходах графен/графан, графен/флюрографен и графен/хлорoграфен, что является причиной возникновения на переходах потенциальных барьеров. Функционализация графена различными адсорбатами меняет рельеф распределения кулоновского потенциала с изотропного на анизотропный. Наибольший скачок в рельефе потенциала зафиксирован в планарном переходе графен/графан. Определены ширины запрещенных зон боковых планарных переходов графен/графан, графен/флюрографен, графен/хлорографен, наибольшее значение среди которых принадлежит переходу графен/графан.

Список литературы

English version of article