Вклад детекторных двухфотонных электронных переходов в формировании динамической проводимости трехбарьерных резонансно-туннельных структур

Автор(ы) И.В. Бойко, М.Р. Петрик, Г.Б. Цуприк
Принадлежность
Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Даты Получено 03.10.2015, опубликовано online – 24.12.2015
Ссылка И.В. Бойко, М.Р. Петрик, Г.Б. Цуприк, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 4, 04078 (2015)
DOI
PACS Number(s) 73.21.Ac, 73.40.Gk, 73.63.Hs
Ключевые слова Резонансно-туннельная структура, Квантовый каскадный детектор, Активная динамическая проводимость, Резонансные энергии, Резонансные ширины, Двухфотонные электронные переходы.
Аннотация В приближении эффективных масс и прямоугольных потенциальных ям и потенциалов для электрона, с использованием найденных решений полного уравнения Шредингера, развитая теория активной динамической проводимости трехбарьерной резонансно-туннельной структуры в слабом электромагнитном поле с учетом вклада детекторных одно- и двухфотонных электронных переходов с различными частотами. Показано, что величина вклада двухфотонных переходов в формировании общей величины активной динамической проводимости в детекторных переходах не менее 35 %.

Список литературы

English version of article