Температурные изменения энергетических характеристик поверхностногослоя квантовой точки InAs в матрице GaAs

Автор(ы) С.К. Губа1, В.М. Юзевич1, 2 , 3
Принадлежность

1 Нацинальный университет “Львовская политехника”, ул. С. Бандэры, 12, 79013 Львов, Украина

2 Физико-механический институт им. Г.В. Карпенко Национальной академии наук Украины, ул. Научная 5, 79060 Львов, Украина

3 Куявско-Поморская высшая школа в Быдгощи, ул. Торуньская, 55-57, 85-023 Быдгощ, Польша

Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Даты Получено 14.09.2015, в отредактированной форме – 04.11.2015, опубликовано online – 24.12.2015
Ссылка С.К. Губа, В.М. Юзевич, Ж. нано-электрон. физ. 7 № 4, 04065 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.65. Hb, 81.10.Aj
Ключевые слова Квантовая точка, Самоорганизация, Энергетические характеристики поверхностных слоев, Система GaAs / In / InAs.
Аннотация Рассчитанные результаты дают возможность исследовать (анализировать) характеристики межфазных слоев на границе раздела КТ InAs / СС In, СС In / GaAs, КТ InAs / GaAs подложка (СС – смачивающий слой металла). Они могут быть использованы для анализа – определения общих закономерностей изменений энергетических параметров КТ InAs в матрице GaAs(100). Кроме того они полезны при моделировании изменений энергетических характеристик поверхностных слоев, которые характеризуют механизмы взаимосвязей между релаксацией упругих напряжений и поверхностной энергией системы GaAs / In / InAs.

Список литературы

English version of article