Особенности воздействия X-излучения и магнитного поля на электрофизические харак- теристики барьерных структур на основе дислокационного p-Si, предназначенного для солнечной энергетики

Автор(ы) Д.П. Слободзян , Б.В. Павлык , М.О. Кушлык
Принадлежность

Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. ген. Тарнавского, 107, 79017 Львов, Украина

Е-mail slobodzyan_d@ukr.net
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Даты Получено 28.07.2015, опубликовано online – 10.12.2015
Ссылка Д.П. Слободзян, Б.В. Павлык, М.О. Кушлык, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 4, 04051 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.72.Lk, 61.72.Uf, 73.20.At, 73.40.Qv, 74.25.Ha, 78.70. – g
Ключевые слова Кремний, Поверхностно-барьерная структура, Х-излучения, Магнитное поле, Дислокации, Вольт-амперная характеристика, Вольт-фарадные характеристика, Поверхностные состояния.
Аннотация В работе описывается влияние малых доз Х-излучения (D < 400 Гр) и слабого магнитного поля (B = 0,17 Тл) на смену вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al на основе кристаллов p-Si с концентрацией дислокаций > 102 см – 2 в приповерхностном слое кремния. Исследован и проанализирован процесс накопления заряда в диэлектрическом слое SiO2 таких структур под воздействием внешних полей.

Список литературы

English version of article