Получение объемного композита на основе наночастиц Bi2Te3-SiO2 и его электропроводность

Автор(ы) М.Н. Япрынцев1, Р.А. Любушкин1, Е.Н. Алифанова1, О.Н. Иванов1, Л.В. Маликов2
Принадлежность

1 Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика структуры и свойств наноматериалов», ул. Победы, 85, 308015 Белгород, Россия

2 Физико-технологический центр МОН и НАН Украины, пл. Свободы, 6, 61022 Харьков, Украина

Е-mail yaprintsev@bsu.edu.ru
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Даты Получено 01.10.2015, в отредактированной форме – 09.11.2015, опубликовано online – 10.12.2015
Ссылка М.Н. Япрынцев, Р.А. Любушкин, Е.Н. Алифанова, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 4, 04040 (2015)
DOI
PACS Number(s) 65.80. – g, 82.60.Qr, 73.40.Gk
Ключевые слова Теллурид висмута, Сольвотермально-микроволновый синтез, Морфология, Tуннельный тип проводимости.
Аннотация Наночастицы Bi2Te3-SiO2 синтезированы методом сольвотермально-микроволнового восстановления оксидных прекурсоров висмута и теллура с одновременным гидролизом тетраэтилортосиликата (ТЭОС). Компактирование проводили методом холодного изостатического прессования с последующим спеканием. Полученную систему можно рассматривать как полупроводниковый термоэлектрический материал, содержащий структурные неоднородности в виде включений с низкой теплопроводностью – SiO2. Было установлено, что композит является однофазным теллуридом висмута с равномерно распределенным в объеме аморфным диоксидом кремния. Установлено, что в полученном материале в интервале температур от ∼ 50 до 180 K реализуется туннельный тип проводимости.

Список литературы

English version of article