Особенности кинетики спада фото-ЭДС в кристаллах кремния, используемых в солнечной энергетике, обусловленные воздействием слабого стационарного магнитного поля

Автор(ы) Л.П. Стебленко1 , О.А. Коротченков1 , А.А. Подолян1 , Д.В. Калиниченко1 , А.Н. Курилюк1 , Ю.Л. Кобзарь1 , А.Н. Крит2, С.Н. Науменко1
Принадлежность

1 Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, кафедра физики металлов, ул. Владимирская, 64/13, 01601 Киев, Украина

2 Учебно-научный центр «Физико-химическое материаловедение» Киевского национального университета имени Тараса Шевченко и НАН Украины, 01601 Киев, Украина

Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 12.09.2014, в отредактированной форме – 17.02.2015, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка Л.П. Стебленко, О.А. Коротченков, А.А. Подолян, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01036 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.35.bg, 61.43.Dq, 61.72.Hh, 73.40.Qv
Ключевые слова Solar-Si (2) , Время жизни носителей, Магнитное поле, Заряженные примеси.
Аннотация Изучено влияние слабого стационарного магнитного поля на кинетику спада фото-ЭДС в кристаллах «солнечного» кремния (solar-Si). Установленные особенности в поведении электрофизических параметров показали, что кратковременная и долговременная компоненты спада фото-ЭДС определяются длительностью магнитной обработки. Короткое время магнитной обработки приводит к увеличению, а длительная магнитная обработка вызывает уменьшение обеих компонент спада фото-ЭДС по сравнению с контрольными кристаллами. Выявлено, что характер магнитостимулированного изменения кинетики фото-ЭДС коррелирует с зарядовым состоянием поверхности.

Список литературы