Морфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложках

Автор(ы) А.П. Крышталь , А.А. Миненков , С.С. Джус
Принадлежность

Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, 61022 Харьков, Украина

Е-mail aleksandr.p.kryshtal@univer.kharkov.ua
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Даты Получено 22.10.2014, в отредактированной форме – 11.03.2015, опубликовано online – 25.03.2015
Ссылка А.П. Крышталь, А.А. Миненков, С.С. Джус, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01024 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.55.J –, 68.08.Bc, 68.37.Hk
Ключевые слова Тонкие плёнки, Смачивание, Распад пленки, Сканирующая электронная микроскопия.
Аннотация Приводятся результаты электронно-микроскопического исследования массивов наночастиц, сформированных путем плавления сплошных поликристаллических пленок Bi на аморфных Ge и SiO2 подложках. Установлено, что в результате самоорганизации при плавлении висмута на инертной SiO2 подложке формируются островковые структуры с малым разбросом частиц по размерам. Определена связь основных характеристик данных частиц с толщиной исходных пленок. Показано, что плавление висмута на аморфной германиевой подложке приводит к формированию неупорядоченных массивов наночастиц, морфологическая структура которых определяется характером взаимодействия компонентов на границе пленка-подложка.

Список литературы