Результаты (58):

Заголовок Nano-Scale Patterning of Silicon Nanoparticles on Silicon Substrate by DIP-PEN-Nanolithography
Автор(ы) A. Kumar, P.B. Agarwal, S. Sharma, D. Kumar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0127 - 0131
Заголовок A Strategic Review of Reduction of Dislocation Density at the Heterogenious Junction of GAN Epilayer on Foreign Substrate
Автор(ы) S.Das Bhattacharyya, P. Mukhopadhyay, P. Das, D. Biswas
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0067 - 0084
Заголовок A study of the evolution of the silicon nanocrystallites in the amorphous silicon carbide under argon dilution of the source gases
Автор(ы) A. Kole, P. Chaudhuri
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0155 - 0161
Заголовок Correlation of Raman and Photoluminescence Spectra of Al2O3 Capped Silicon Nanoparticles Grown by Reactive Pulsed Laser Deposition
Автор(ы) A.P. Detty, L.M. Kukreja, B.N. Singh, V.G. Sathe, T. Shripathi, V.P. Mahadevan Pillai
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 2
Страницы 0323 - 0329
Заголовок The Silicon-to-Silicon Anodic Bonding Using Sputter Deposited Intermediate Glass Layer
Автор(ы) R. Tiwari, S. Chandra
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 2
Страницы 0418 - 0425
Заголовок Effect of Grain Size on the Threshold Voltage for Double-Gate Polycrystaline Silicon MOSFET
Автор(ы) Mahesh Chandra, Alka Panwar, B.P. Tyag
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0474 - 0478
Заголовок Effect of Number of Filaments on the Structure, Composition and Electrical Properties of µc-Si:h Layers Deposited Using HWCVD Technique
Автор(ы) S.K. Soni, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0551 - 0557
Заголовок Nanostructured Hydrogenated Silicon Films by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition: the Influence of Substrate Temperature on Material Properties
Автор(ы) V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, A.M. Funde, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0590 - 0600
Заголовок Inter-Electrode Separation Induced Amorphous-to-Nanocrystalline Transition of Hydrogenated Silicon Prepared by Capacitively Coupled RF PE-CVD Technique
Автор(ы) A.M. Funde, V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0651 - 0661
Заголовок Activation Energy of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor
Автор(ы) Alka Panwar, Mahesh Chandra, B.P. Tyagi
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0667 - 0670
Заголовок Surface States and Photoluminescence From Porous Silicon
Автор(ы) Md. Nazrul Islam, Satyendra Kumar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0910 - 0913
Заголовок Designing Single Chamber Hwcvd System for High Deposition Rate Device Quality A-Si:h Thin Films and Solar Cells
Автор(ы) N.A. Wadibhasme, S.K. Soni, Alka Kumbhar, Nagsen Meshram, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0942 - 0946
Заголовок High-k HfO2 Based Metal-Oxide-Semiconductor Devices Using Silicon and Silicon Carbide Semiconductor
Автор(ы) N.P. Maity, A. Pandey, S. Chakraborty, M. Roy
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0947 - 0955
Заголовок Effective Passivation of C-Si by Intrinsic A-Si:h Layer for hit Solar Cells
Автор(ы) Shahaji More, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1120 - 1126
Заголовок Simulation and Optimization of n-Type PERL Silicon Solar Cell Structure
Автор(ы) William R. Taube, A. Kumar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1127 - 1136
Заголовок Design and Simulation of Thin-Film Silicon Quantum Well Photovoltaic Cell
Автор(ы) R. Sircar, B. Tripathi, S. Gupta
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 2
Страницы 011 - 018
Заголовок On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors
Автор(ы) Alka Panwar, B.P. Tyagi
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 3
Страницы 028 - 035
Заголовок Investigation on the Effects of Titanium Diboride Particle Size on Radiation Shielding Properties of Titanium Diboride Reinforced Boron Carbide-Silicon Carbide Composites
Автор(ы) B. Buyuk, A.B. Tugrul, A.C. Akarsu, A.O. Addemir
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 1
Страницы 01010-1 - 01010-4
Заголовок Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method
Автор(ы) Nabeel A. Bakr
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Страницы 03006-1 - 03006-7
Заголовок Modeling Optical and Electronic Properties of Silica Nano-Clusters in Silicon Rich Oxide Films
Автор(ы) N.D. Espinosa-Torres, J.F.J. Flores-Gracia, J.A. Luna-López, A. Morales-Sánchez, J.L. Sosa-Sánchez, J.C. Ramírez-García
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Страницы 03004-1 - 03004-6
Заголовок Stress Topology within Silicon Single-Crystal Cantilever Beam
Автор(ы) A.P. Kuzmenko, D.I. Timakov, P.V. Abakumov, M.B. Dobromyslov, L.V.Odnodvorets
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Страницы 03024-1 - 03024-5
Заголовок Diode Based on Amorphous SiC
Автор(ы) V.S. Zakhvalinskii, L.V. Borisenko, A.J. Aleynikov, E.A. Piljuk, I. Goncharov, S.V. Taran
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04029-1 - 04029-3
Заголовок Features of Structure of Magnetron Films Si3N4 and SiC
Автор(ы) A.P. Kuzmenko, A.S. Chekadanov, S.V. Zakhvalinsky, E.A. Pilyuk, M.B. Dobromyslov
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04025-1 - 04025-3
Заголовок Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT)
Автор(ы) Abhishek Mukherjee, Prachi Sharma, Navneet Gupta
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04054-1 - 04054-3
Заголовок Design and Analysis of a High Speed, Power Efficient 8 Bit ALU Based on SOI / SON MOSFET Technology
Автор(ы) Subhramita Basak, Anindya Jana, Subir Kumar Sarkar
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04062-1 - 04062-5
Заголовок Simulation Study on the Open-Circuit Voltage of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells Using AMPS-1D
Автор(ы) B.M. Omer, F.A. Mohammed, A. Seed Ahmed Mahgoub
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 1
Страницы 01006-1 - 01006-4
Заголовок On the Applicability of HF and μ-PCD Methods for Determination of Carrier Recombination Lifetime in the Non-passivated Single-crystal Silicon Samples
Автор(ы) I.М. Anfimov, S.P. Kobeleva, I.V. Schemerov, M.N. Orlova
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 3
Страницы 03018-1 - 03018-3
Заголовок Monolithic Silicon Photodetector - Detector of Ionizing Radiation Based on Functional Integrated MOS Structures
Автор(ы) S.A. Legotin, V.N. Murashev, S.I. Didenko, O.I. Rabinovich, D.S. Elnikov, A.A. Krasnov, M.A. Bazalevsky, G.I. Koltsov, K.A. Kuzmina
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 3
Страницы 03020-1 - 03020-4
Заголовок RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells
Автор(ы) V.S. Zakhvalinskii, E.A. Piljuk, I.Yu. Goncharov, V.G. Rodriges, A.P. Kuzmenko, S.V. Taran, P.A. Abakumov
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 3
Страницы 03062-1 - 03062-3
Заголовок Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method
Автор(ы) A.P. Mukhtarov, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymonov, F.T. Umarova
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Страницы 01012-1 - 01012-7
Заголовок Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influence on the Spectral Characteristics Sensitivity
Автор(ы) V.N. Murashev, S.Yu. Yurchuk, S.A. Legotin, V.P. Yaromskiy, Yu.V. Osipov, V.P. Astahov, D.S. El’nikov, S.I. Didenko, O.I. Rabinovich, K.A. Kuz’mina
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 2
Страницы 02023-1 - 02023-5
Заголовок Hydrogenation of Laser-crystallized a-Si:H Films
Автор(ы) М.В. Хенкин, Д.В. Амасев, А.Г. Казанский, П.А. Форш
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Страницы 03048-1 - 03048-6
Заголовок Исследование внутренних механических напряжений, возникающих в структурах Si-SiO2-ЦТС
Автор(ы) Д.А. Коваленко, В.В. Петров
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Страницы 03036-1 - 03036-6
Заголовок The Spectral Sensitivity Characteristics Simulation of the Silicon p-i-n-structure with High Resistance
Автор(ы) S.A. Legotin, V.N. Murashev, S.Yu. Yurchuk, V.P. Yaromskiy, V.P. Astahov, K.A. Kuz’mina, O.I. Rabinovich, D.S. El’nikov, U.V. Osipov, A.A. Krasnov, S.I. Didenko
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Страницы 04017-1 - 04017-2
Заголовок Microchannel Structures of Betavoltaic Silicon Convertors
Автор(ы) V.V. Starkov, S.A. Legotin, A.A. Krasnov, V.N. Murashev, Yu.K. Omel’chenko, O.I. Rabinovich, A.S. Laryushkin
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Страницы 04047-1 - 04047-2
Заголовок Effect of a Stable Magnetic Field on Silicon Properties
Автор(ы) M.I. Timoshina, E.V. Akimov, A.A. Gulamov, A.V. Kochura, M.B. Dobromyslov
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Страницы 04086-1 - 04086-3
Заголовок Study of Light Trapping Scheme to Improve Performance of Silicon Solar Cells
Автор(ы) R. Sircar, J. Trivedi, S. Gupta, B. Tripathi, D.P. Srivastava
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 1
Страницы 01007-1 - 01007-4
Заголовок Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 1
Страницы 01041-1 - 01041-4
Заголовок Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy
Автор(ы) H. Ayed, L. Béchir, M. Benabdesslem, N. Benslim, L. Mahdjoubi, T. Mohammed-Brahim, A. Hafdallah, M.S. Aida
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 1
Страницы 01038-1 - 01038-4
Заголовок Numerical Investigation of Spatial Effects on the Silicon Solar Cell
Автор(ы) A.B. Nawale, R.A. Kalal, A.R. Chavan, T.D. Dongale, R.K. Kamat
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Страницы 02002-1 - 02002-4
Заголовок A Numerical Simulation of the Effect of Buffer Layer Band Gap on the Performances of nc-Si : H Based Solar Cells
Автор(ы) H. Touati, B. Amiri, A.C. Sebbak, A. Benameur, H. Aït-kaci
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Страницы 02008-1 - 02008-6
Заголовок Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method
Автор(ы) A.P. Mukhtarov, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymonov, F.T. Umarova, Sh. Makhkamov
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Страницы 02009-1 - 02009-8
Заголовок Femtosecond Laser Crystallization of Boron-doped Amorphous Hydrogenated Silicon Films
Автор(ы) P.D. Rybalko, M.V. Khenkin, P.A. Forsh, R. Drevinskas, A.N. Matsukatova, P. Kazansky, A.G. Kazanskii
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 3
Страницы 03038-1 - 03038-3
Заголовок Thermodynamics of Nucleation of Silicon Carbide Nanocrystals during Carbonization of Porous Silicon
Автор(ы) Yu.S. Nagornov
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 3
Страницы 03001-1 - 03001-4
Заголовок Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x
Автор(ы) V.I. Altukhov, B.A. Bilalov, A.V. Sankin, S.V. Filipova
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04003-1 - 04003-4
Заголовок Modelling of Random Textured Tandem Silicon Solar Cells Characteristics: Decision Tree Approach
Автор(ы) R.S. Kamath, R.K. Kamat
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04021-1 - 04021-4
Заголовок An Investigation of High Performance Heterojunction Silicon Solar Cell Based on n-type Si Substrate
Автор(ы) N. Memarian, M. Minbashi, M. Jalali Mehrabad
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04058-1 - 04058-8
Заголовок Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice
Автор(ы) Messaadi Lotfi, Dibi Zohir
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Страницы 01002-1 - 01002-4
Заголовок Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Страницы 01022-1 - 01022-4
Заголовок Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell
Автор(ы) Wassila Leila Rahal, Djaaffar Rached
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 4
Страницы 04001-1 - 04001-5
Заголовок Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Страницы 05002-1 - 05002-4
Заголовок Equivalent Circuit of Betavoltaic Structure on Silicon pn Diode
Автор(ы) Yuri S. Nagornov
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 1
Страницы 01027-1 - 01027-3
Заголовок Performance of p-i-n Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Device
Автор(ы) H. Yanuar, U. Lazuardi
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Страницы 02045-1 - 02045-3
Заголовок Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires
Автор(ы) A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, R.M. Koretskyy, M.Yu. Chernetskiy
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Страницы 02038-1 - 02038-5
Заголовок Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen
Автор(ы) M.Yu. Tashmetov, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymanov, Sh. Makhkamov, F.T. Umarova, A.V. Khugaev, Kh.M. Kholmedov
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Страницы 03011-1 - 03011-6
Заголовок Fabrication of Room Temperature NO2 Gas Sensor based on Silver Nanoparticles-Decorated Carbon Nanotubes
Автор(ы) Waleed Kh. Mahmood, Asama N. Naje
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 5
Страницы 05020-1 - 05020-6
Заголовок Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells
Автор(ы) Djaaffar Rached, Habib Madani Yssaad, Wassila Leila Rahal
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 5
Страницы 05012-1 - 05012-4
Заголовок Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program
Автор(ы) M. Rahmouni, S. Belarbi
Выпуск Том 11, Год 2019, Номер 2
Страницы 02008-1 - 02008-5