Результаты (4):

Заголовок A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s
Автор(ы) P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0963 - 0971
Заголовок Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers
Автор(ы) K. Bikshalu, M.V. Manasa, V.S.K. Reddy, P.C.S. Reddy, K. Venkateswara Rao
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04058-1 - 04058-3
Заголовок Dye Sensitized Solar Cells Based on Hydrazonoyl Synthetic Dyes
Автор(ы) Monzir S. Abdel-Latif, Amal Batniji, Taher M. El-Agez, Malak J. Younis, Hatem Ghamri, Bassam A. Abu Thaher, Basem S. Qeshta, Fakhr M. Abu-Awwad, Sofyan A. Taya
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04038-1 - 04038-9
Заголовок Quantum Mechanical Analysis of GaN Nanowire Transistor for High Voltage Applications
Автор(ы) Neel Chatterjee, Sujata Pandey
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04063-1 - 04063-6