Результаты (27):

Заголовок Effects of Interfacial Charges on Doped and Undoped HfOx Stack Layer with Tin Metal Gate Electrode for Nano-Scaled CMOS Generation
Автор(ы) S. Chatterjee, Y. Kuo
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0162 - 0169
Заголовок Effect of Grain Size on the Threshold Voltage for Double-Gate Polycrystaline Silicon MOSFET
Автор(ы) Mahesh Chandra, Alka Panwar, B.P. Tyag
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0474 - 0478
Заголовок Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison
Автор(ы) Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0569 - 0575
Заголовок Two-Dimensional Analytical Modeling of Threshold Voltage of Doped Short-Channel Triple-Material Double-Gate (Tm-Dg) MOSFET's
Автор(ы) Sarvesh Dubey, Dheeraj Gupta, Pramod Kumar Tiwari, S. Jit
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0576 - 0583
Заголовок Strategic Review of Arsenide, Phosphide and Nitride MOSFETs
Автор(ы) Gourab Dutta, Palash Das, Partha Mukherjee, Dhrubes Biswas
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0728 - 0740
Заголовок Electrostatics of Silicon Nano Transistor
Автор(ы) Lalit Singh, B.P. Tyag
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0808 - 0813
Заголовок A 2-D Analytical Threshold Voltage Model for Symmetric Double Gate MOSFET's Using Green’s Function
Автор(ы) Anoop Garg, S.N. Sinha, R.P. Agarwal
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0894 - 0902
Заголовок Role of Interface Charges on High-k Based Poly-Si and Metal Gate Nano-Scale MOSFETs
Автор(ы) N. Shashank, Vikram Singh, W.R. Taube, R.K. Nahar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0937 - 0941
Заголовок A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s
Автор(ы) P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0963 - 0971
Заголовок Effect of Drift Region Doping and Coulmn Thickness Variations in a Super Junction Power MOSFET: a 2-D Simulation Study
Автор(ы) Deepti Sharma, Rakesh Vaid
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1112 - 1119
Заголовок
Автор(ы)
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 1
Страницы 02011-1 - 02011-5
Заголовок
Автор(ы)
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 1
Страницы 01001-1 - 01001-5
Заголовок
Автор(ы)
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 1
Страницы 01001-1 - 01001-1
Заголовок Performance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials
Автор(ы) Rakesh Prasher, Devi Dass, Rakesh Vaid
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 1
Страницы 01017-1 - 01017-5
Заголовок Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers
Автор(ы) K. Bikshalu, M.V. Manasa, V.S.K. Reddy, P.C.S. Reddy, K. Venkateswara Rao
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04058-1 - 04058-3
Заголовок Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration
Автор(ы) A. Daniyel Raj, C. Rajarajachozhan, Sanjoy Deb
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Страницы 01004-1 - 01004-4
Заголовок An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors
Автор(ы) N. Bora, P. Das, R. Subadar
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Страницы 02003-1 - 02003-4
Заголовок Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автор(ы) Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04037-1 - 04037-4
Заголовок Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit
Автор(ы) K. Nehru, T. Nagarjuna, , G. Vijay,
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 4
Страницы 04018-1 - 04018-4
Заголовок Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder
Автор(ы) S. Rashid, S. Khan, A. Singh,
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Страницы 05003-1 - 05003-4
Заголовок Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs
Автор(ы) Nitin Sachdeva, Munish Vashishath, P.K. Bansal
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Страницы 06009-1 - 06009-4
Заголовок A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs
Автор(ы) M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Страницы 04027-1 - 04027-4
Заголовок An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET
Автор(ы) Arjimand Ashraf, Prashant Mani
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Страницы 04012-1 - 04012-5
Заголовок A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network
Автор(ы) Smail Toufik, Dibi Zohir
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Страницы 04017-1 - 04017-5
Заголовок Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS
Автор(ы) P. Vimala
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 5
Страницы 05015-1 - 05015-5
Заголовок PSpice Implementation and Simulation of a New Electro-Thermal Modeling for Estimating the Junction Temperature of Low Voltage Power MOSFET
Автор(ы) Toufik Smail, Zohir Dibi, Douadi Bendib
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 6
Страницы 06004-1 - 06004-5
Заголовок Channel Length Effect on Subthreshold Characteristics of Junctionless Trial Material Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs with High-k Gate Dielectrics
Автор(ы) Fairouz Lagraf,, Djamil Rechem,, Kamel Guergouri,, Mourad Zaabat,
Выпуск Том 11, Год 2019, Номер 2
Страницы 02011-1 - 02011-5