Результаты (8):

Заголовок Effects of Interfacial Charges on Doped and Undoped HfOx Stack Layer with Tin Metal Gate Electrode for Nano-Scaled CMOS Generation
Автор(ы) S. Chatterjee, Y. Kuo
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0162 - 0169
Заголовок Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS Capacitors for Future ULSI Technology
Автор(ы) Ashok M. Mahajan, Anil G. Khairnar, Brian J. Thibeault
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0647 - 0650
Заголовок Role of Interface Charges on High-k Based Poly-Si and Metal Gate Nano-Scale MOSFETs
Автор(ы) N. Shashank, Vikram Singh, W.R. Taube, R.K. Nahar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0937 - 0941
Заголовок Analog and RF Performance Evaluation of Dual Metal Double Gate High-k Stack (DMDG-HKS) MOSFETs
Автор(ы) Santosh K. Gupta, S. Baishya
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Страницы 03008-1 - 03008-8
Заголовок Synthesis of Cerium Dioxide High-k Thin Films as a Gate Dielectric in MOS Capacitor
Автор(ы) Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 3
Страницы 03002-1 - 03002-3
Заголовок Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автор(ы) Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04037-1 - 04037-4
Заголовок Impact of the High-K Dielectric Material as Spacer on Analog and RF Performance of the GS-DG-FinFET
Автор(ы) A. Pattnaik, Sruti S. Singh, S.K. Mohapatra
Выпуск Том 11, Год 2019, Номер 6
Страницы 06028-1 - 06028-7
Заголовок Numerical Simulation of FinFET Transistors Parameters
Автор(ы) І.P. Buryk, A.O. Golovnia, M.M. Ivashchenko, L.V. Odnodvorets
Выпуск Том 12, Год 2020, Номер 3
Страницы 03005-1 - 03005-4