Очистка кристалів Cd(Mn)Te для детекторів рентгенівського випромінювання спеціальним відпалом

Автор(и) З.І. Захарук1 , С.Г. Дремлюженко1, С.В. Солодін1, Є.С. Никонюк2 , Б.П. Рудик2, О.В. Копач1, А.С. Опанасюк3 , П.М. Фочук1
Приналежність

1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. М. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна

2 Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна, 11, 33000 Рівне, Україна

3 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна

Е-mail semirivne@gmail.com, opanasyuk_sumdu@ukr.net, p.fochuk@chnu.edu.ua
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 6
Дати Одержано 15.09.2017, у відредагованій формі - 26.10.2017, опубліковано online - 15.11.2017
Посилання З.І. Захарук, С.Г. Дремлюженко, С.В. Солодін, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06004 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06004
PACS Number(s) 71.55.Eq, 72.80.Ey
Ключові слова Тверді розчини (9) , Cd1 – xMnxTe (2) , Очистка, Електричні характеристики, Оптичні вимірювання, Вкраплення, Термічна обробка.
Анотація З метою очищення злитків Cd0,95Mn0,05Te застосований модифікований метод рухомого нагрівника (названий «суха зона»). Навіть один прохід зони суттєво зменшував вкраплення Te (розмір і концентрацію) в злитку. Провідність p-типу та інші електричні характеристики матеріалу майже не змінилися, однак концентрація мілких (А  0,05 еВ) акцепторів зменшилася, а ступінь компенсації більш глибоких акцепторів (А  0,17 еВ) збільшився. Таке перетворення дефектно-домішкової системи проявилось у зменшенні концентрації іонізованих центрів і у зниженні коефіцієнтів поглинання домішок як при 0,1-0,5 еВ, так і поблизу краю фундаментальної зони.

Перелік посилань