Effect of Electron Irradiation on Conductivity Anisotropy in n-InSe

Автор(и) З.Д. Ковалюк , І.В. Мінтянський, П.І. Савицький
Приналежність

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна

Е-mail illya.mintyanskyy@gmail.com
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 6
Дати Одержано 19.09.2017, у відредагованій формі - 15.11.2017, опубліковано online - 24.11.2017
Посилання З.Д. Ковалюк, І.В. Мінтянський, П.І. Савицький, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06013 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06013
PACS Number(s) 72.20.Dp, 72.20.Fr
Ключові слова Селенід індію (2) , Електронне опромінення, Анізотропія електропровідності, Міжшаровий бар'єр, Двовимірний електронний газ.
Анотація До та після електронного опромінення у діапазоні 80-400 К досліджується анізотропія електропровідності та механізм перенесення заряду впоперек шарів n-InSe. Встановлено, що початково висока, але слабо залежна від температури анізотропія після е-впливу істотно зростає та активаційно змінюється з температурою. Результати пояснені наявністю планарних дефектів, що стимулюють утворення потенціальних барєрів між шарами. Разом з тривимірними електронами, що термічно активуються чи тунелюють при транспорті перпендикулярно до шарів, враховано й двовимірні, які впливають тільки на поздовжню провідність. Розрахунки показали, що роль останніх посилюється після опромінення.

Перелік посилань

Переклад англійською