Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію

Автор(и) С.О. Вамболь1, І.Т. Богданов2, В.В. Вамболь1, Я.О. Сичікова2, О.М. Кондратенко1, Т.П. Несторенко1, С.В. Онищенко2
Приналежність

1 Національний університет цивільного захисту України, вул. Чернишевська, 94, 61023 Харків, Україна

2 Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100 Бердянськ, Україна

Е-mail yo_suchikova@bdpu.org
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 6
Дати Одержано 11.07.2017, опубліковано online - 24.11.2017
Посилання С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06016 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06016
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключові слова Арсенід галію (4) , Напівпровідники (5) , Нанодроти (2) , Електрохімічне Травлення (8) , Електроліт (2) .
Анотація У роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та показано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней.

Перелік посилань

Переклад англійською