Структура і властивості плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення

Автор(и) Р.В. Зайцев1, М.В. Кириченко1, Р.П. Мигущенко1, Н.В. Веселова1, Г.С. Хрипунов1, А.І. Доброжан1, Л.В. Зайцева2
Приналежність

1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна

2 Національний аерокосмічний університет «Харківський авіаційний інститут», вул. Чкалова, 17, 61070 Харків, Україна

Е-mail
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 6
Дати Одержано 17.06.2017, опубліковано online - 24.11.2017
Посилання Р.В. Зайцев, М.В. Кириченко, Р.П. Мигущенко та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06020 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06020
PACS Number(s) 68.37._d, 75.70.Ak
Ключові слова Плівки сульфіду кадмію, Метод магнетронного розпилення на постійному струмі (2) , Оптичні втрати (2) , Ширина забороненої зони (5) , Кристалічна структура (11) .
Анотація З метою створення економічної, придатної для широкомасштабного застосування технології формування шару широкозонного «вікна» для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сульфіду та телуриду кадмію були проведені експериментальні дослідження впливу температури осадження плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення на постійному струмі, на їх оптичні властивості і кристалічну структуру. Методом двоканальної оптичної спектроскопії встановлено, що осадження плівок сульфіду кадмію при температурі 160 °С дозволяє формувати шари з шириною забороненої зони 1,41 еВ, що наближається до значення, характерного для монокристалів, і щільністю потоку фотонів, що проходять через шар сульфіду кадмію в спектральному інтервалі фоточутливості телуриду кадмію, на рівні 37,0 Втнмсм2.

Перелік посилань