Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі точкових дефектів в GaN зі структурою сфалерит: розрахунок з перших принципів

Автор(и) О.П. Малик , С.В. Сиротюк
Приналежність

Національний університет «Львівська політехніка», кафедра напівпровідникової електроніки, вул.Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

Е-mail omalyk@ukr.net
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 6
Дати Одержано 20.05.2017, у відредагованій формі - 15.11.2017, опубліковано online - 24.11.2017
Посилання О.П. Малик, С.В. Сиротюк, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06007 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06007
PACS Number(s) 72.20.Dp
Ключові слова Електронний транспорт, Точкові дефекти (3) , DFT розрахунок.
Анотація Розглядаються процеси розсіяння електронів на різних точкових дефектах гратки в нітриду галію зі структурою сфалериту. У всіх розрахунках береться до уваги принцип близькодії. Елементи матриці переходу були оцінені з використанням самоузгоджених хвильової функції і потенціалу, отриманих в рамках теорії функціонала електронної густини з перших принципів. Такий підхід дозволяє уникнути використання підгінних параметрів для шести механізмів розсіювання електронів. Розраховано температурні залежності рухливості електронів в діапазоні 30-300 K. Результати, отримані за допомогою близькодіючих моделей розсіяння краще узгоджуються з експериментом, ніж у випадку використання далекодіючих моделей. Вперше отримані властивості переносу електронів з використанням близькодіючих моделей, в основі яких лежать розраховані з перших принципів за допомогою проекційних приєднаних хвиль самоузгоджені власні функції і потенціали кристала

Перелік посилань