Электрофизические и структурные свойства гетеропереходов n-ZnS/P-CdTe

Автор(ы) Д.И. Курбатов1, Н.Н. Опанасюк1, А.С. Опанасюк1 , В.В. Косяк2
Принадлежность 1 Сумский государственный университет, кафедра прикладной физики, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007, Cумы, Украина

2 Сумский государственный университет, кафедра электроэнергетики, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007, Cумы, Украина

Е-mail kurd@ukr.net
Выпуск Том 1, Год 2009, Номер 3
Даты Получено 18.11.2009, в отредактированной форме – 11.12.2009
Ссылка Д.И. Курбатов, Н.Н. Опанасюк, А.С. Опанасюк, В.В. Косяк, Ж. нано- электрон. физ. 1 №3, 30 (2009)
DOI
PACS Number(s) 61.05.cp, 68.37.Hk, 73.40.Lg, 73.61.Ga
Ключевые слова Пленки соединений A~2B~6, Гетеропереход (3) , Твердые растворы, Кристаллическая структура, Сканирующая электронная микроскопия, Коэффициент идеальности, Потенциальный барьер, Механизм токопереноса.
Аннотация
В работе проведено исследование электрофизических и структурных свойств пленочных гетеропереходов ZnS/CdTe полученных методом сублимации в замкнутом объеме при разных условиях конденсации. В результате определены коэффициенты идеальности гетеропереходов, токи насыщения, высоту потенциальных барьеров и механизмы токопереноса через гетеросистемы. Структурные исследования позволили установить тип текстуры пленок, их фазовый состав, период кристаллической решетки материалов, а также зависимость этих параметров от технологических условий получения конденсатов. Показано, что на границе раздела гетеросистем полученных при температурах подложки Ts > 773 К образуются твердые растворы с определенным химическим составом.

Список литературы