Очистка кристаллов Cd(Mn)Te для детекторов рентгеновского излучения специальным отжигом

Автор(ы) З.И. Захарук1, С.Г. Дремлюженко1, С.В. Солодин1, Е.С. Никонюк2, Б.П. Рудык2 , О.В. Копач1, А.С. Опанасюк3, П.М. Фочук1
Принадлежность

1 Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

2 Национальный университет водного хозяйства и природопользования, ул. Соборная, 11, 33028 Ровно, Украина

3 Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail semirivne@gmail.com, opanasyuk_sumdu@ukr.net, p.fochuk@chnu.edu.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Даты Получено 15.09.2017, в отредактированной форме – 26.10.2017, опубликовано online – 15.11.2017
Ссылка З.И. Захарук, С.Г. Дремлюженко и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 6, 06004 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06004
PACS Number(s) 71.55.Eq, 72.80.Ey
Ключевые слова Твердые растворы Cd1 – xMnxTe, Очистка, Электрические характеристики, Оптические измерения, Включения, Термическая обработка.
Аннотация С целью очистки слитков Cd0,95Mn0,05Te был применен модифицированный метод подвижного нагревателя (названный «сухая зона»). Даже один проход зоны существенно уменьшал включения Te (размер и концентрацию) в слитке. Проводимость p-типа и другие электрические характеристики материала почти не изменились, однако концентрация мелких А  0,05 эВ) акцепторов уменьшилась, а степень компенсации более глубоких акцепторов (А  0,17 эВ) увеличилась. Такое преобразование дефектно-примесной системы проявилось в уменьшении концентрации ионизованных центров и в снижении коэффициентов поглощения примесей как при 0,1-0,5 эВ, так и вблизи края фундаментальной зоны.

Список литературы