Формирование нитевидных оксидных структур на поверхности монокристаллического арсенида галлия

Автор(ы) С.А. Вамболь1, И.Т. Богданов2, В.В. Вамболь1, Я.А. Сичикова2, А.Н. Кондратенко1, Т.П. Несторенко1, С.В. Онищенко2
Принадлежность

1 Национальный университет гражданской защиты Украины, ул. Чернышевская, 94, 61023 Харьков, Украина

2 Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71100 Бердянск, Украина

Е-mail yo_suchikova@bdpu.org
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Даты Получено 11.07.2017, опубликовано online – 24.11.2017
Ссылка С.А. Вамболь, И.Т. Богданов, В.В. Вамболь, и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 6, 06016 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06016
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключевые слова Арсенид галлия, Полупроводник, Нанопровода, Электрохимическое Травление, Электролит.
Аннотация В работе представлен метод формирования нитевидных оксидных нанокристаллитов на поверхности монокрсталлического арсенида галлия. Нанопровода были сформированы методом электрохимического травления в растворе соляной и бромистой кислот. Оценены морфологические свойства полученных структур и показана возмож-ность применения их в качестве газовых сенсоров. Стабильность свойств нанопроводов обеспечивается наличием оксидной фазы на их пиках и по поверхности. Наклон нанопроводов объясняется исходя из устойчивости кристаллографических плоскостей их граней.

Список литературы

Перевод на aнглийском