Рассеяние электронов на близкодействующем потенциале точечных дефектов в GaN со структурой сфалерит: расчет из первых принципов

Автор(ы) О.П. Малык, С.В. Сыротюк
Принадлежность

Национальный университет «Львовская политехника»,кафедра полупроводниковой электроники, ул. Бандеры, 12, 79013 Львов, Украина

Е-mail omalyk@ukr.net
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Даты Получено 20.05.2017, в отредактированной форме – 15.11.2017, опубликовано online – 24.11.2017
Ссылка О.П. Малык, С.В. Сыротюк, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 6 06007 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06007
PACS Number(s) 72.20.Dp
Ключевые слова Электронный транспорт, Точечные дефекты, DFT расчет.
Аннотация Рассмотрены процессы рассеяния электронов на различных точечных дефектах решетки нитрида галлия со структурой сфалерита. Во всех расчетах принимается во внимание принцип близкодействия. Элементы матрицы перехода были оценены с использованием самосогласованных волновой функции и потенциала, полученных в рамках теории функционала электронной плотности из первых принципов. Такой подход позволяет избежать использования параметров подгонки для шести механизмов рассеяния электронов. Рассчитаны температурные зависимости подвижности электронов в диапазоне 30-300 K. Результаты, полученные с помощью близкодействующих моделей рассеяния, лучше согласуются с экспериментом, чем в случае использования дальнодействующих моделей. Впервые получены свойства переноса электронов с использованием близкодействующих моделей, в основе которых лежат рассчитанные из первых принципов с помощью проекционных присоединенных волн самосогласованные собственные функции и потенциалы.

Список литературы