Влияние параметров магнетронного распыления на структуру и субструктурные харак-теристики пленок диборида тантала

Автор(ы) А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, И.В. Шелест, В.В. Буранич
Принадлежность

Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail o.goncharov@mss.sumdu.edu.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 4
Даты Получено 25.04.2017, в отредактированной форме – 25.07.2017, опубликовано online – 27.07.2017
Ссылка А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, И.В. Шелест, В.В. Буранич, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 4, 04014 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(4).04014
PACS Number(s) 68.35. – p, 68.55.A –, 68.60.Bs, 81.07.Bc, 81.15.Cd
Ключевые слова Магнетронное распыление, Диборид тантала, Потенциал смещения, Структура (88) , Нанотвердость, Модуль упругости.
Аннотация В работе проводились исследования влияния параметров магнетронного (ВЧ и ПТ) распыления на формирование структуры и субструктурных характеристик защитных покрытий на основе тонких пленок диборида тантала. Результаты проведенных исследований показали, что знак и величина приложенного потенциала смещения при использовании обоих типов магнетронного распыления (ВЧ и ПС) имеет определяющее влияние на формирование их структуры и субструктурных свойств. Установлено, что нанокристаллические пленки диборида тантала сверхстехиометрического состава (СВ/CTa ≈ 2,2-2,6), обладающие сильной текстурой роста плоскостью (00.1) были получены при потенциале смещения + 50 В и – 50 В при ВЧ- и ПТ-магнетронном распылениях соответственно. При этом полученные пленки имели наилучшие физико-механические свойства и общие характерные субструктурные величины: размер нанокристаллитов ~ 30 нм, и увеличенное значение параметра «с» по сравнению с табличным.

Список литературы